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时钟和电源

21 Nov 2024
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POWER

  • 芯片需提供 VDD11_SYS(芯片 CORE 电源:典型 1.2V/200mA CPU 600Mhz,1.1V/200mA CPU 504Mhz)。


    1. 芯片 CORE 电源 VDD11_SYS 原理图
  • 芯片需提供 VCC33_IO(芯片 IO 电源:典型 3.3V/100mA)。


    2. 芯片 IO 电源 VCC33_IO 原理图
  • VDDQ_DDR(DRAM 电源:DDR2@1.8V/150mA,DDR3@1.5V/150mA)。
    3. 芯片 DRAM 电源 VCC_DRAM 原理图

  • 内置 LDO1X_OUT,可配置输出 1.8V/1.5V,外部接 1uF 电容,若使用内置 LDO,存在转换效率和发热问题,Layout 需做好散热。
  • LDO25_OUT、VCC30_ANA 供内部模块使用,外部接 1uf 旁路电容即可。
注:
  • 若使用内置 LDO1x,因转换效率问题,功耗会较外置 DCDC 增加 100mW 左右。

  • 若使用内置 LDO18 和 LDO1x,芯片表面温度最高 43°C 左右。

上下电时序要求
  • 无上下电时序要求。
  • 复位信号内置约 30 KΩ上拉电阻和去抖滤波,不使用可直接悬空,若外挂电容建议不超过 4.7 uF。上电完成后,复位自动释放。

SYSTEM

2. 系统功能脚说明
信号名 信号说明 应用说明
UBOOT 升级模式配置 如需进入升级模式,可在 UBOOT 或 bootloader 配置任意 IO 为下拉检测或上拉检测,SDK 默认使用 PA0 下降沿检测,建议预留按键或跳线。
RESET 芯片复位脚 内部 RC 上拉,低电平复位,可悬空,建议预留按键或跳线。

PLL

PLL 需外接 24MHz 晶振:
  • 外部 24 MHz 晶振精度要求小于 ± 20 ppm,匹配电容根据晶体负载电容选择。
  • PLL_XO 建议串联 0R 电阻,便于调试振荡幅度。


RTC

内置 RTC,典型工作电流3.3 uA使用 RTC 功能需外接 32.768 KHz 晶振
  • 外部 32.768 KHz 晶振精度建议小于 ±10 ppm,匹配电容根据晶体负载电容选择。
  • RTC_XI 和 RTC_XO 之间并接10M电阻。
  • RTC_IO 为 OD 输出,使用时需要外挂上拉电阻,上拉电平不超过 5V,可用于 输出 RTC 唤醒信号或输出 32.768 KHz 时钟。
  • RTC_VCOIN 需串接 10 KΩ 电阻,若不考虑掉电保持,RTC_VCOIN 可悬空,内部有二极管通路从 VCC33_IO 取电,不需要外部再接 3.3 V。