数据擦写

进入擦写模式

1. 如需使用数据擦写功能，必须确保芯片进入 BROM 升级模式。根据开发板的实际状态不同，可以使用以下方法进入 BROM 升级模式：
   • 开发版没有启动程序，则上电自动进入 BROM 升级模式。
   • 开发板有升级按键，则按升级按键，同时复位板子进入 BROM 升级模式。
   • 开发板无升级按键，但是可以进入到应用命令行，则输入 “aicupg” 命令，自动重启进入 BROM 升级模式。
   • 开发板无升级按键，但是可以进入到 BootLoader 命令行，则输入 “aicupg” 命令，自动重启进入 BROM 升级模式。

   可以在 AiBurn 工具中确认是否进入了 BROM 升级模式，如下图所示：

   
   

   

   
   
2. 在确认进入了 BROM 升级模式后，点击 AiBurn 的数据擦写标签页，点击进入擦写模式：
   
   

   

   
   
   切记： 仅在芯片进入 BROM 升级模式后，进入擦写模式按钮才可用。
3. 芯片进入擦写模式时，工具会自动检测连接在开发板上的启动存储设备，此时可以在“存储设备”下拉列表中，看到当前可操作的存储设备，如下图所示：
   
   

   

   
   
4. 手动重启开发板，才能退出擦写模式。

擦除 boot

擦除启动镜像 （BootLoader）的操作如下：

1. 选择擦除 Boot。
2. 在存储设备的下拉列表中选中设备。
3. 点击执行。

   工具会自动找到 BootLoader 的存储区域并且擦除，擦除 Boot 完成后，重新上电时设备无法启动，且自动进入 BROM 升级模式：

   
   

   

   
   

读取数据

读取数据的操作如下：

1. 点击读取数据。
2. 在存储设备的下拉列表中选中设备。
3. 填写要读取的数据所在 Flash 的地址偏移。
4. 填写要读取的数据长度。
5. 选择数据保存的目录。
6. 点击执行。

擦除数据

擦除数据的操作如下：

1. 点击擦除数据。
2. 在存储设备的下拉列表中选中设备。
3. 填写要擦除的数据所在 Flash 的地址偏移。
4. 填写要擦除的数据长度。
5. 选择数据保存的目录。
6. 点击执行。

写入数据

写入数据的操作如下：

1. 确认写入的空间已经被擦除过。
2. 点击写入数据。
3. 在存储设备的下拉列表中选中设备。
4. 填写要写入的数据所在 Flash 的地址偏移。
5. 填写要写入的数据长度。
6. 选择要写入的数据文件。
7. 点击执行。

eFuse 烧录

每一款芯片的 eFuse 都划分了不同的区域，工具可以针对整个 eFuse 区域，或者指定的区域进行操作。

读取 eFuse 的操作如下：

1. 选择要读取的 eFuse 区域。
2. 设置该区域要读取的位置偏移，从该区域的 0 偏移开始，以字节为单位。
3. 设置要读取的数据的长度，注意不要超过该区域的最大长度。
4. 点击执行。

烧写 eFuse

烧写 eFuse 的操作如下：

1. 选择要烧写的 eFuse 区域。
2. 设置该区域要烧写的位置偏移，从该区域的 0 偏移开始，以字节为单位。
3. 设置要烧写的数据，注意按字节顺序，以 16 进制的方式填写。
4. 点击执行。

注：

eFuse 的比特位，只能从 0 烧写为 1，不能从 1 烧写为 0；可以重复烧写 1。下图示例中，将“efuse.customer” 区域的第一个比特位，烧录为 1。