内置 LDO 电气特性
3 Mar 2025
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LDO25
内置 LDO25,用于芯片内部 ADC 以及 eFuse 供电,其电气特性描述如 下:
符号 |
描述 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
---|---|---|---|---|---|
VLDO25 |
输出电压 |
2.4 |
2.5 |
3.1 |
V |
Io |
输出电流 |
- |
- |
100 |
mA |
Co |
外部去耦电容 |
- |
1 |
- |
uF |
LDO18
内置 LDO18,可用于外部设备供电,其电气特性描述如 下:
符号 |
描述 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
---|---|---|---|---|---|
VLDO18 |
输出电压 |
1.71 |
1.8 |
1.92 |
V |
Io |
输出电流 |
- |
- |
100 |
mA |
Co |
外部去耦电容 |
- |
1 |
- |
uF |
LDO1x
内置 LDO1x,用于 VDD_SYS 供电,其电气特性描述如 下:
符号 |
描述 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
---|---|---|---|---|---|
VLDO1x |
输出电压 |
0.9 |
1.2 |
1.9 |
V |
Io |
输出电流 |
- |
- |
500 |
mA |
Co |
外部去耦电容 |
- |
1 |
- |
uF |