内置 LDO 电气特性
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LDO25
内置 LDO25，用于芯片内部 ADC 以及 eFuse 供电，其电气特性描述如 下：
| 符号 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VLDO25 | 输出电压 | 2.4 | 2.5 | 3.1 | V |
| Io | 输出电流 | - | - | 100 | mA |
| Co | 外部去耦电容 | - | 1 | - | uF |
LDO18
内置 LDO18，可用于外部设备供电，其电气特性描述如 下：
| 符号 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VLDO18 | 输出电压 | 1.71 | 1.8 | 1.92 | V |
| Io | 输出电流 | - | - | 100 | mA |
| Co | 外部去耦电容 | - | 1 | - | uF |
LDO1x
内置 LDO1x，用于 VDD_SYS 供电，其电气特性描述如 下：
| 符号 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VLDO1x | 输出电压 | 0.9 | 1.2 | 1.9 | V |
| Io | 输出电流 | - | - | 500 | mA |
| Co | 外部去耦电容 | - | 1 | - | uF |