Edit online

功能描述

16 Aug 2024
Read time: 1 minute(s)

CALI RES

CALI RES 校准电阻结构是一种调整片上电阻值的技术,通过精确控制来调整电阻值,确保电路的性能稳定。CALI RES 校准电阻结构由 Rb 和 Rc 两部分并联实现,如下图所示:

  • Rb 基准电阻:提供固定阻值,可为电路提供一个稳定的电阻基准,以便于与 Rc 校准电阻进行比较和调整。
  • Rc 校准电阻:提供可配置的电阻值,通过 CAL_VAL 的值可改变电阻值。

    通过改变 Rc 的值,可以细微调整总电阻,以达到所需的精度。Rc 计算公式如下表所示:

    - - CAL_VAL Rb 阻值Ω Rc 阻值Ω Rb//Rc 阻值Ω
    模块 需求阻值Ω 默认值 理论 计算公式 理论默认值 计算公式 理论默认值
    USB 200 96 320.36 51257.7/CAL_VAL 534 Rb*Rc/(Rb+Rc) 200

PSEN

Process Sensor (PSEN),即工艺传感器,可监测制造工艺下数字电路的频率范围,为调频调压提供了可靠的数据支持,从而有效地降低功耗,提高生产效率。

PSEN 工作流程
  1. 在软件中配置测试参数 (RO_SEL, CNT_TIME) 后,打开测试 (PSEN_EN=1)。
  2. 打开测试后,PSEN 触发数字电路打开 RO_EN,模拟电路 RO 开始振荡工作,并产生一个经过 16 分频的低频时钟信号供数字电路计数使用。
  3. 数字电路打开 RO_EN 后延迟打开 CNT_EN。此时 CNT 开始计数,直到预设的 CNT_TIME 时间结束,系统会自动关闭 CNT_EN 并延时关闭 RO_EN,最后将 PSEN_EN 清零表示测试完成。
  4. 软件检测到 PSEN_EN 清零后,读取 CNT_VAL 值,作为当前 PSEN 的速度。
  5. 重复此测试可以获取更多 RO 的数据,进一步提高制造工艺的精度和效率。


1. PSEN 工作流程

FLASH_CFG

对于芯片内部合封了 FLASH 的使用场景,可使用 FLASH_CFG 子模块对合封的 FLASH 进行烧写和读写访问。FLASH_CFG 子模块包含 SRCSEL 和 PINMAP 两个模块,如FLASH_CFG 框图所示。
  • SRCSEL 用于选择以下几类控制来源:
    • SPI0
    • SPI1
    • PINMUX:主要用于进行 FLASH 裸片烧录。
  • PINMAP 用于对引脚进行映射,兼容各种 DIE 的 PIN 顺序,方便封装设计打线连接。PINMAP 分为两组,每组三个引脚:
    • PINMAP_012: WP MISO CS → PIN0 PIN1 PIN2
    • PINMAP_345: HOLD SCLK MOSI → PIN3 PIN4 PIN5


2. FLASH_CFG 框图