存储
FLASH
SPI0/ 1 为 QSPI 控制器，最大支持四线数据传输，用于 Flash 类型设备的快速读写访问。
- 默认使用 PB0~PB5 引脚的 SPI0 为 Flash 类型设备启动接口。
- QSPI 支持 NAND Flash / NOR Flash，支持单/ 双/ 四线模式。
- IO 最大速率 SDR 100 MHz，仅支持 3.3 V IO 电压，Flash 容量不限制。
注：
- SPI_CS、SPI_WP、SPI_HOLD 必需上拉。
- QSPI 信号除 SPI_CS 外整组必需做等长约束，约束控制在 40 mil 内，否则跑四线模式容易出现速度跑不高的情况。
- 启动阶段 BROM 有 Try 介质过程，PB0~PB5 引脚 SPI0 接口 CS/CMD/CLK 有 ms 级脉冲波形输出，做 IO 输出使用时需注意不要用于敏感电路；若已识别到介质，低优先级的介质不再扫描。
eMMC
使用 SDC0 接口，支持单线/ 四线模式，支持 eMMC 4.41 协议，支持 SDR25/ SDR50/ DDR50 模式。
- IO 最大速率 DDR 50 MHz，仅支持 3.3 V IO 电压。
- D0、CMD 和 RST 信号必需上拉到 VCC33_IO。
注：
- SDC0_D0~SDC0_D3、SDC0_CLK、SDC0_CMD 信号走线做等长约束，约束不大于 40 mil。
- CLK 信号不需上拉，最好在靠近主控端串联 22 欧电阻，若并联容值不超过 22 pF。
- 启动阶段 BROM 有 Try 介质过程，SDC0 接口 D0/CMD/CLK 有 ms 级脉冲波形输出，做 IO 输出使用时需注意不要用于敏感电路；若已识别到介质，低优先级的介质不再扫描。
CARD
使用 SDC1 接口，支持单线/四线模式。
- IO 最大速率 DDR 50 MHz，仅支持 3.3 V IO 电压。
- CLK 信号不需上拉，最好在靠近主控端串联 22 欧电阻，若并联容值不超过 22 pF。
- D0、CMD 和 DET 信号建议上拉到 VCC33_IO。
- SD 接口信号线 TVS 管结电容 < 22 pF，否则影响信号传输质量。
- 建议保留 DET 信号线上的 1k 串联电阻，避免在插入 SD CARD 时产生信号下冲，同时提高 GPIO ESD 性能。
注：
- SDC1_D0~SDC1_D3、SDC1_CLK、SDC1_CMD 信号走线做等长约束，约束不大于 50 mil。
- CLK 信号不需上拉，最好在靠近主控端串联 22 欧电阻，若并联容值不超过 22 pF。
- 启动阶段 BROM 有 Try 介质过程，SDC1 接口 D0/CMD/CLK 有 ms 级脉冲波形输出，做 IO 输出使用时需注意不要用于敏感电路；若已识别到介质，低优先级的介质不再扫描。
注：
- 启动优先级：TF-CARD SDC1 > NOR SPI0 > NAND SPI0 > eMMC SDC0。
- 启动阶段 BROM 有 Try 介质过程，PB0~PB5 引脚 SPI0 接口 CS/ MOSI/ CLK 、SDC0/ SDC1 接口 D0/ CMD/ CLK 有 ms 级脉冲波形输出，做 IO 输出使用时需注意不要用于敏感电路；若已识别到介质，低优先级的介质不再扫描输出波形。
- Flash 建议使用 WSON8 带 EPAD 封装，可兼容 NAND/NOR Flash。
- EMMC 建议使用 BGA153 封装，可兼容市面大部分 EMMC，不限制容量，不需要适配驱动 。