时钟和电源
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POWER
方案 |
描述 |
优点 |
缺点 |
|---|---|---|---|
1 |
芯片 VCC33_IO（3.3 V/ 200 mA）、 VDD11_SYS（1.1 V/ 200 mA） 和 LDO18（1.8 V/ 200 mA）全都使用外部 DCDC 供电。 |
发热最小、功耗最小 |
成本最高 |
2 |
芯片 VCC33_IO（3.3 V/ 200 mA）和 VDD11_SYS（1.1 V/ 200 mA） 采用外部 DCDC 供电，LDO18 使用内置 LDO 供电。 |
DCDC 电源效率高功耗降低，优先推荐方案 |
- |
3 |
芯片 VCC33_IO（3.3 V/ 300 mA）采用单 3.3 V 供电，VDD11_SYS 和 LDO18 使用内置 LDO 供电。 |
电路简洁、成本最低 |
LDO 电源效率低、功耗最高，温升最高 |
- 芯片需提供 VDD11_SYS（芯片 CORE 电源：典型 1.1V/200mA ）。
图 1. 芯片 CORE 电源 VDD11_SYS 原理图 - 芯片需提供 VCC33_IO（芯片 IO 电源：典型 3.3V/100mA）。
图 2. 芯片 IO 电源 VCC33_IO 原理图 - 内置 LDO18，芯片复位时默认关闭，SDK 可配置输出 1.8 V 供 PSRAM 使用，LDO18 引脚外部接 10 uF + 0.1 uF 旁路电容即可。
- 内置 LDO1x，芯片复位时默认关闭，SDK 可配置输出 1.1 V 供 VDD11_SYS 使用，VDD11_SYS 引脚外挂 10 uF + 0.1 uF 旁路电容即可。
- 内置 LDO25，默认开启，供内部模拟模块使用，LDO25 引脚外部接 1 uf 旁路电容即可。
注：
-
若使用内置 LDO18，因转换效率问题，功耗会较外置 DCDC 增加约 60mW，芯片表面温度约 43°C。
-
若使用内置 LDO1x，因转换效率问题，功耗会较外置 DCDC 显著增加，发热温升提高 8~10°C，Layout 必须做好散热。
上下电时序要求
- 无上下电时序要求。
- 复位信号内置约 30 KΩ上拉电阻和去抖滤波，不使用可直接悬空，若外挂电容建议不超过 4.7 uF。上电完成后，复位自动释放。
SYSTEM
信号名 |
信号说明 |
应用说明 |
|---|---|---|
UBOOT |
升级模式配置 |
如需进入升级模式，可在 UBOOT 或 BootLoader 配置任意 IO 为下拉检测或上拉检测，SDK 默认使用 PA0 下降沿检测，建议预留按键或跳线。 |
RESET |
芯片复位脚 |
内部 RC 上拉，低电平复位，可悬空，建议预留按键或跳线。 |
PLL
PLL 需外接 24MHz 晶振：
- 外部 24 MHz 晶振精度要求小于 ± 20 ppm，匹配电容根据晶体负载电容选择。
- PLL_XO 建议串联 0R 电阻，便于调试振荡幅度。
RTC
内置 RTC，典型工作电流约 2.3 uA使用 RTC 功能需外接 32.768 KHz 晶振
- 外部 32.768 KHz 晶振精度建议小于 ±10 ppm，匹配电容根据晶体负载电容选择。
- RTC_XI 和 RTC_XO 之间并接10M电阻。
- RTC_IO 为 OD 输出，使用时需要外挂上拉电阻，上拉电平不超过 5V，可用于 输出 RTC 唤醒信号或输出 32.768 KHz 时钟。
- RTC_VCOIN 需串接 10 KΩ 电阻，若不考虑掉电保持，RTC_VCOIN 可悬空，内部有二极管通路从 VCC33_IO 取电，不需要外部再接 3.3 V。