离线烧录

Read time: 2 minute(s)

离线烧录，是指使用烧录器烧录存储器件，包括 SPI NOR 和 SPI NAND。本节演示使用硕飞 SP328 烧录器进行烧录的详细流程和步骤，以 D21x 平台的镜像烧录为例。

注：离线（脱机）烧录会破坏掉固件的加密信息。如果开启了安全启动，SPIENC 等加密方案，则不得进行脱机烧录。

注：

执行本节步骤和流程之前，确保已安装硕飞 SP328 烧录器，并准备好要烧录平台的镜像文件。更多关于烧录器的使用方法，可参考官方使用文档 (https://www.sflytech.com/download/software/SP32_Manual_cn.pdf) 以及软件使用文档。

准备镜像文件

在 SDK 根目录下，执行 make menuconfig 进入配置界面。
勾选下列制作镜像参数：
```
Filesystem images  --->
    [*] Generate burner format image
```
对于 NAND 烧录镜像制作，需要设置 ROOTFS 为 UBI 文件格式：
注：
仅在使用 NAND 且使用 UBI 文件系统时执行下列步骤，否则可略过。
1. 在根目录执行 make menuconfig 打开配置界面。
2. 找到并使能下列配置项 ubi image containing an ubifs root filesystem：
```
Filesystem images  --->
        RootFS images  --->
            [*] ubi image containing an ubifs root filesystem
            [ ]   Use custom config file
            ()    Additional ubinize options
```
编译完成后，在编译输出目录 (images)/burner 下找到烧录器使用到的镜像，例如 d21x_demo100_nand_page_2k_block_128k_v1.0.0.bin。

创建新项目后，在系统弹窗中点击加载数据…文件夹，并选择准备烧录的镜像文件。

在项目设置页面，配置下列参数：

点击自动单次即可开始烧录，右侧会显示烧录信息。烧录完成后，即可取下芯片焊接至对应平台进行上电验证。

分区烧录模式是一种针对 NAND Flash 存储器的烧录方式，允许将存储器划分为多个独立的区域，每个区域可以存储不同的数据。仅 NAND Flash 烧录设置有所不用，其它操作步骤不变。

打开 NAND Flash 烧录工具。
点击 NAND Flash 烧录选项，进入烧录选项设置界面。
在坏块处理方式选择框中，选择分区模式（含跳过坏块）。
点击图标选择输出目录 (images)/burner 中的 image_part_table.bin 文件后，即可导入分区表。

在分区烧录模式下，需要导入分区表。分区表是一个描述存储器分区结构的文件，包含了每个分区的起始地址、大小和其他相关信息。

本节澄清烧录工厂需要关注的 SDK 坏块管理策略及相关问题，仅针对 SPI NAND 烧录。对于 SPI NOR 烧录，控制器会完成坏块管理，因此不需要进行额外的坏块处理。

表 1. 坏块管理相关问题及说明
问题	详细说明
坏块标识策略	SDK 不使用 Spare area，其全部作为坏块管理用，使用 Spare area 的前两个字节做标识，不是 0xFF 0xFF 则表示为坏快，直接跳过。
坏块处理策略	直接跳过该块，无其他要特殊记录的资料信息。
ECC 算法	SDK 使用 FLASH 内部硬件 ECC，因此没有额外的算法代码。
固定 BLOCK 要求	前四个 BLOCK 如果都是坏块，直接报出烧录失败，无其他特殊要求。
文件系统	根据客户需要会使用 FATFS 或者 littlefs。
Image file 最大容量要求	根据客户需要，不限制最大容量，但 SPI NAND 性价比比较高的是 128 MB 或者 256 MB 的，推论分区一般在 200M 以下。